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Dépôts de couches minces

publié le , mis à jour le

Nous disposons de plusieurs solutions pour déposer des couches minces allant des matériaux isolants au métaux. Les couches pouvant être très fine (quelques nm) jusqu’à plusieurs microns.


- Dépôts par évaporation sous vide - Plassys MEB 550S

E-Beam Evaporator
© Photo H. De Brus

Il s’agit d’un évaporateur utilisant un canon à électrons de 10keV, qui nous permet de déposer différents matériaux comme : Ag, Al, Au, Co, Ge, Pd, Pd/Ni, Pt, Ni et Ti.
D’autres matériaux peuvent être ajouter sur demande.

Sample holder

Nous pouvons également in-situ faire des oxydations (statique ou dynamique de 2 à 3nm) ou bien décaper les surface grâce à un canon à ions (Argon).
Nous avons la possibilité de chauffer le porte substrat jusqu’à 300°C ou de le refroidir grâce à de l’azote liquide, enfin, nous pouvons également tilter l’échantillon (-90°/+90°)
Zone de déposition : max 4 pouces (10cm)



- Dépôts PECVD [1] - Corial D250

PECVD
© Photo H. De Brus

Notre système de dépôt chimique en phase vapeur assité par plasma (PECVD [1]) nous permet de déposer des couches d’oxyde ou de nitrure de silicium (SiO2 ou Si3N4).

SiO2 Deposition
© photo H. De Brus

Nous pouvons déposer une(des) couche(s) allant de 10 à 4000nm par run, avec une vitesse de dépôt allant jusqu’à 100nm/min.
Le réacteur est constitué d’un générateur RF de 300W à 13.56MHz ainsi que de lignes de gaz spécifique SiH4, NH3 et N2O (SF6 pour les nettoyages).
Les températures de dépôts possible sont 150°C ou 280°C pour une taille maximale d’échantillon de 8 pouces (20cm).



- Dépôt d’Or électrolytique

Electroplating deposition system

Notre système permet de déposer des couches d’or jusqu’à 10µm d’épaisseur.
Taille d’échantillon : max 2 pouces


[1(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)