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Gravure Plasma

publié le , mis à jour le

Notre zone de gravure physique est constituée de 3 équipements, nous pouvons graver un grand nombre de semiconducteur allant du silicium aux matériaux III-V.

- Système ICP-RIE [1] - Sentech SI500 : pour la gravure des matériaux III-V (GaAs, AlGaAs, InGaAs ou InP)

ICP-RIE Sentech SI 500
© Phototèque CNRS - C. Frésillon

QCL dry etching

Il s’agit d’un système de gravure ionique réactive à torche à plasma ( ICP-RIE[1]) qui nous permet de graver profondément (plusieurs µm) les semi-conducteurs III-V, pour des échantillons d’une taille maximum de 3 pouces (7.5cm).
Pour cela, nous utilisons un gaz chloré , le SiCl4 (dans certains cas le HBr) combiné à Ar, H2 et/ou O2.
La fin de gravure peut être déterminer grâce à une caméra avec interférométrie laser.



- Système RIE [2] - Corial 200R : pour entre-autres la gravure d’isolant

RIE CORIAL 200R
© photo H. De Brus

SiO2 bridge

Il s’agit d’un système de gravure réactive ionique nous permettant de graver des matériaux comme l’oxyde et le nitrure de silicium, l’aluminium, le Niobium, le Silicium ainsi que des résidus organique (comme des résines par exemple), pour une taille d’échantillons maximale de 4 pouces (10cm).
Pour cela, nous utilisons des gaz Fluorés (SF6 ou CHF3) combiné avec O2.
La fin de gravure peut être déterminer grâce à une caméra avec interférométrie laser.



- Plasma O2 et Ar - Diener Electronics Pico : pour le retrait de résines

Plasma Cleaner
© Photo H. De Brus

Les étapes de nettoyages sont cruciales en microélectronique, ce type de nettoyeur plasma est utilisé dans nos procédures standard de nettoyage, puisqu’il permet la gravure des résidus organique comme les résines.
Il peut être utilisé en tant qu’activateur de surface notamment pour rendre des surfaces hydrophobes ou hydrophiles.


[1(Inductively Coupled Plasma - Reactive Ion Etching)

[2(Reactive Ion Etching)